• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 75V 130A 250W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 75V 130A 250W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 75V 130A 250W TO220AB

IRFB3307PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
21,21 lei
17,53 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 130A 250W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor impresionează cu o putere disipată de 250W, asigurând o performanță excelentă într-o varietate de scenarii de utilizare. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 75V, este ideal pentru proiecte care necesită o soluție fiabilă și eficientă din punct de vedere energetic.

Cu un curent drenă de 130A și o rezistență în timpul funcționării de doar 6,3mΩ, acest tranzistor se remarcă prin capacitatea sa de a gestiona sarcini mari cu ușurință. De asemenea, beneficiind de o tensiune poartă-sursă de ±20V și o încărcătură poartă de 0,12µC, este proiectat pentru a oferi o funcționare stabilă și fiabilă în diverse aplicații.

Cu un subtip canal îmbogățit și tehnologie HEXFET®, Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru cei care caută performanță superioară și fiabilitate în același timp. Cu un subtip ambalaj tub și montare THT, este ușor de integrat în diferite proiecte și aplicații. Alegeți acest tranzistor pentru a vă asigura că proiectele dvs. electronice sunt pe deplin optimizate și eficiente din punct de vedere energetic.
Detalii
IRFB3307PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
250W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
130A
Tensiune drenă-sursă
75V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
6,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
0,12µC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5948760678570
Cod MPN
IRFB3307PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: