Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET Tranzistor 100V 9.7A 48W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 9.7A 48W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 9.7A 48W TO220AB

IRF520NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,7A; 48W; TO220AB
6,36 lei
5,26 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 9,7A 48W TO220AB oferit de INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale aplicațiilor electronice. Acest tranzistor de putere se remarcă prin caracteristicile sale superioare, care îl fac ideal pentru o varietate de aplicații.

Cu o putere disipată de 48W și o polarizare unipolară, acest tranzistor este potrivit pentru montare pe suprafață, având o carcasă TO220AB. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv oferă performanțe remarcabile în condiții de funcționare variate.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,2Ω și un curent de drenă de 9,7A, acest tranzistor asigură un control precis al circuitelor electronice. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 16,7nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.

Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES este fabricat folosind tehnologia HEXFET®, care garantează fiabilitate și performanțe superioare. Cu o gamă largă de caracteristici excelente, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită o soluție de înaltă calitate și eficiență energetică.
Detalii
IRF520NPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
48W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
9,7A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
16,7nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594777404067
cod EAN13
5947146962746
Cod MPN
IRF520NPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRLD014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,2A; 1,3W; HVMDIP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat