N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 29A 207W G3R75MT12D

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 29A Idm: 80A 207W, G3R75MT12D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi tehnologia avansată SiC, puterea de disipare de 207W și curentul de drenaj în impuls de 80A. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 29A, acest tranzistor oferă performanțe de înaltă calitate într-o varietate de aplicații.

Carcasa TO247-3 permite o montare ușoară și sigură, iar subtipul de ambalaj în tub asigură protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Rezistența în timpul funcționării de 75mΩ și subtipul de canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere fiabilă și durabilă pentru proiectele dumneavoastră. Tensiunea drenaj-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă cuprinse între -5 și 15V oferă flexibilitate în designul circuitelor.

Cu o încărcătură de poartă de 54nC și tipul de tranzistor N-MOSFET, acest produs este ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și eficiență energetică. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la GeneSiC SEMICONDUCTOR pentru proiectele dumneavoastră electronice și obțineți rezultate remarcabile.