• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W

SISS61DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89,6A; 42,1W
11,24 lei
9,29 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89,6A; 42,1W
Detalii
SISS61DN-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
42,1W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Curent de drenă în impuls
-200A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-89,6A
Tensiune drenă-sursă
-20V
Tensiune poartă-sursă
±8V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
231nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod UPC
594657317203
cod EAN13
5942482118246
Cod MPN
SISS61DN-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: