• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB

IXTP1R6N100D2
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns
36,58 lei
30,23 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin puterea sa de disipare de 100W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie. Cu o polarizare unipolară, acesta oferă o performanță fiabilă și constantă în timpul funcționării.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența sa în timpul funcționării de 10Ω asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă.

Subtipul canalului sărăcit și încărcătura poartă de 645nC îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Cu un timp de restabilire de 11ns, acest tranzistor garantează o performanță de vârf în aplicațiile dumneavoastră.

Cu un subtip de ambalaj de tip tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în proiectele dumneavoastră. Carcasa TO220AB oferă o protecție suplimentară împotriva deteriorării și asigură o durabilitate sporită.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice, oferind o performanță superioară și o fiabilitate remarcabilă. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS.
Detalii
IXTP1R6N100D2

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
100W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,6A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
10Ω
Subtip canal
sărăcit
Încărcătură poartă
645nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
11ns

Coduri specifice

cod EAN13
5940511613625
Cod MPN
IXTP1R6N100D2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET SuperMESH3™ Unipolar 620V 2A 70W I2PAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro |

Cod: STI4N62K3

Marca: STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET SuperMESH3™ Unipolar 620V 2A 70W I2PAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
4,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET SuperMESH3™ Unipolar 620V 2A 70W I2PAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc