• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3

IPP80R1K2P7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,1A; 37W; PG-TO220-3
15,81 lei
13,07 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 3,1A 37W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub durabil și poate fi montat cu ușurință utilizând tehnologia THT. Carcasa sa PG-TO220-3 asigură o dispersie eficientă a căldurii, permitând o putere disipată de până la 37W.

Cu caracteristici avansate ale elementelor semiconductoare, cum ar fi poarta protejată ESD și polarizarea unipolară, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 1,2Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 11nC, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o tensiune drenă-sursă de 800V, curent drenă de 3,1A și tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru proiectele care necesită o comutare eficientă și fiabilă. Tehnologia de ultimă generație CoolMOS™ P7 îmbunătățește performanța și eficiența energetică a dispozitivului.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 3,1A 37W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru cei care caută un dispozitiv de comutare de înaltă calitate, cu caracteristici avansate și fiabilitate remarcabilă.
Detalii
IPP80R1K2P7

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
37W
Montare
THT
Carcasă
PG-TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3,1A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
11nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod EAN13
5943496173603
Cod MPN
IPP80R1K2P7XKSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: